因業務調整，部分個人測試暫不接受委托，望見諒。

檢測項目

殘余應力分布、熱膨脹系數、雙折射效應、晶格畸變量、表面粗糙度應力、薄膜附著應力、切割誘導應力、退火后殘余應力、化學機械拋光應力、離子注入損傷應力、外延生長匹配應力、焊接熱失配應力、封裝熱循環應力、微區納米壓痕硬度、彎曲剛度系數、彈性模量各向異性、界面剪切應力、氧化層壓縮應力、金屬互連層拉伸應力、TSV通孔結構應力、三維堆疊熱應力、光刻膠收縮應力、低溫鍵合界面應力、原子層沉積內應力、納米線陣列彎曲度、微機電系統動態應力、異質集成界面應變率、量子阱結構壓電效應、氮化鎵外延層臨界厚度應力

檢測范圍

4英寸硅晶圓（單拋/雙拋）、6英寸砷化鎵晶圓（半絕緣/導電）、8英寸SOI晶圓（BOX層厚度20-200nm）、12英寸單晶硅拋光片（<100>/<111>取向）、藍寶石襯底LED外延片（圖形化/非圖形化）、碳化硅功率器件外延片（4H-SiC/N型摻雜）、氮化鎵射頻器件外延片（HEMT結構）、鍺硅異質結雙極晶體管晶圓（SiGeHBT）、三維封裝中介層（TSV密度5k-50k/mm）、MEMS加速度計結構層（厚度50-200μm）、CMOS圖像傳感器芯片（BSI結構）、DRAM存儲單元陣列（20nm以下制程）、3DNAND閃存堆疊結構（64-128層）、扇出型封裝重構晶圓（RDL線寬2-5μm）、微流控生物芯片玻璃基板（深反應離子刻蝕）、柔性OLED顯示基板（PI厚度10-50μm）、量子點激光器外延片（InP基）、相變存儲器硫系化合物薄膜（GST合金）、磁阻隨機存儲器MTJ堆疊層（CoFeB/MgO）、阻變存儲器金屬氧化物薄膜（HfO?/TiO?）

檢測方法

1.拉曼光譜法：通過頻移量反演晶體內部應變狀態，適用于亞微米級空間分辨率測量2.X射線衍射法：利用布拉格角偏移計算晶格常數變化量，可區分彈性/塑性應變分量3.激光干涉法：測量表面形變位移場重建全場應變分布，精度達納米級4.納米壓痕法：結合Oliver-Pharr模型計算局部彈性恢復與塑性變形特征5.曲率半徑法：基于Stoney公式通過基片曲率推算薄膜平均應力值6.光彈性法：利用雙折射效應可視化透明介質內部主應力方向7.電子背散射衍射：通過菊池帶偏移分析晶體取向變化與局部應變8.同步輻射白光拓撲術：實現微米級分辨的三維殘余應力場重構9.原子力顯微鏡扭擺模式：測量納米尺度表面粘附力與接觸力學響應10.數字圖像相關法：追蹤表面散斑位移計算全場應變張量

檢測標準

ASTMF1390-2021半導體晶片殘余應力的測試方法SEMIMF1530-0709硅片彎曲度的激光干涉測量規程ISO14707:2015表面化學分析-輝光放電光譜法測定薄膜厚度及成分JESD22-B113A電子器件機械沖擊試驗中應變測量方法GB/T32281-2015半導體材料力學性能納米壓痕測試方法IEC60749-39:2021半導體器件機械和氣候試驗方法-芯片剪切強度DINEN623-3:2001先進技術陶瓷體材性能試驗-彎曲強度測定BSPDCLC/TR62258-6:2007半導體芯片產品數據交換-機械特性參數ASMEB46.1-2019表面紋理測量與分析規范MIL-STD-883KMETHOD2036微電子器件密封性試驗中的應變監測

檢測儀器

1.X射線衍射儀：配備微區準直器（50μm光斑）和高精度測角儀（0.0001分辨率），用于晶體結構應變分析2.激光掃描共焦顯微鏡：集成白光干涉模塊，實現三維形貌與局部曲率同步測量3.納米壓痕測試系統：最大載荷500mN，位移分辨率0.01nm，配備高溫模塊（最高600℃）4.數字全息干涉儀：雙波長激光源（532nm/633nm），可測變形量程達100μm級5.同步輻射光束線站：高能X射線束（10-100keV）配合二維探測器進行三維應變成像6.紅外偏振光彈系統：工作波長1.3-1.5μm，適用于半導體材料內部缺陷可視化7.原子力顯微鏡：接觸/輕敲/扭擺多模式切換，力分辨率達pN級8.飛秒激光泵浦探測系統：時間分辨率100fs，用于超快動態應變過程研究9.MEMS專用力學測試臺：集成熱循環模塊（-55~300℃）與高頻振動激勵器10.微區拉曼光譜儀：空間分辨率300nm，配備532nm/785nm雙激光源

檢測流程

1、咨詢：提品資料(說明書、規格書等)

2、確認檢測用途及項目要求

3、填寫檢測申請表(含公司信息及產品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測)

5、收到樣品，安排費用后進行樣品檢測

6、檢測出相關數據，編寫報告草件，確認信息是否無誤

7、確認完畢后出具報告正式件

8、寄送報告原件