因業務調整，部分個人測試暫不接受委托，望見諒。

檢測項目

表面粗糙度、晶格常數測定、位錯密度分析、厚度均勻性、彎曲度測量、翹曲度測試、表面金屬污染、氧含量測定、碳含量分析、表面顆粒度統計、晶體取向偏差、電阻率分布、載流子濃度測試、遷移率測定、少子壽命測量、缺陷密度評估、表面劃痕檢測、邊緣崩邊分析、化學腐蝕速率測試、熱穩定性驗證、應力分布圖譜、介電常數測定、紅外透過率測試、熒光光譜分析、X射線雙晶衍射峰寬測量、表面氧化層厚度測試、元素面分布掃描、微區成分分析、納米壓痕硬度測試、表面電勢分布測繪。

檢測范圍

單晶砷化鎵拋光片、異質結結構片、外延生長基片、離子注入處理片、化學機械拋光片（CMP）、激光切割加工片、VGF法生長基片、LEC法生長基片、HEMT器件用基板、光伏電池用基板、微波射頻器件基板、LED外延襯底片、紅外探測器基板、太赫茲器件基板、MEMS傳感器基板、量子點結構基片、納米線生長襯底片、超晶格結構基板、摻雜濃度梯度測試片（n型/p型）、退火處理實驗片（快速退火/常規退火）、光刻膠涂覆測試片（正膠/負膠）、金屬蒸鍍實驗片（Au/Ge/Ni）、干法刻蝕工藝驗證片（RIE/ICP）、濕法腐蝕工藝驗證片（H2SO4系/H3PO4系）、晶圓鍵合界面分析片（直接鍵合/中介層鍵合）、減薄工藝驗證片（機械減薄/化學減薄）、再生循環利用測試片（回收拋光片）、抗輻射加固處理實驗片（γ射線/質子輻照）、高溫高濕老化實驗片（85℃/85%RH）、低溫存儲驗證片（-196℃液氮環境）。

檢測方法

X射線衍射法（XRD）：通過測量(004)面衍射角計算晶格常數偏差值，精度可達0.0001nm。

原子力顯微鏡（AFM）：采用接觸模式掃描55μm區域，獲取Ra≤0.2nm的表面粗糙度數據。

霍爾效應測試：在0.5T磁場下測量載流子濃度與遷移率，溫度控制范圍77-300K。

微波光電導衰減（μ-PCD）：利用266nm激光激發少子壽命測量，空間分辨率達10μm。

二次離子質譜（SIMS）：采用Cs+離子束濺射進行深度剖析，檢出限達1E12atoms/cm。

激光散射顆粒計數器：對≥0.1μm顆粒進行全自動統計分類，符合SEMIM73標準。

傅里葉紅外光譜儀（FTIR）：通過特征吸收峰定量分析氧碳雜質含量。

掃描電子顯微鏡（SEM）：配備EDS實現微區成分分析及缺陷形貌表征。

四探針電阻率測試：采用直線四探針法測量方阻值并計算電阻率分布。

白光干涉儀：通過相移干涉技術實現納米級三維表面形貌重建。

檢測標準

ASTMF42-20《半導體材料載流子濃度測量的標準試驗方法》

GB/T35098-2018《半導體材料中氧含量的測定脈沖加熱惰氣熔融-紅外吸收法》

SEMIM59-1109《硅及化合物半導體晶片的術語》

ISO14646:2018《精細陶瓷(高級陶瓷)-半導體用拋光晶片的表面粗糙度測量方法》

JISH0605:2015《砷化鎵單晶晶片的試驗方法》

ASTMF657-19《半導體晶片彎曲度的標準測試方法》

GB/T32281-2015《半導體材料中重金屬元素的測定電感耦合等離子體質譜法》

IEC60749-27:2019《半導體器件機械和氣候試驗方法第27部分：晶圓翹曲度測量》

SEMIMF397-0318《化合物半導體晶片的位錯密度測試方法》

ASTMF1392-00(2020)《用自動非接觸掃描法測量硅晶片翹曲度的標準試驗方法》

檢測儀器

高分辨率X射線衍射儀：配備四軸測角器與CuKα輻射源（λ=0.15406nm），用于精確測定晶格參數與晶體質量。

原子力顯微鏡系統：配置硅探針與閉環掃描器，Z軸分辨率達0.05nm，支持接觸/輕敲雙模式成像。

低溫霍爾效應測試系統：集成液氮杜瓦與電磁鐵系統（0.55T），溫度控制精度0.1K。

飛行時間二次離子質譜儀：配備雙離子槍與延遲提取技術，質量分辨率m/Δm≥15000。

全自動晶圓幾何參數測量儀：基于激光干涉原理實現厚度TTV≤1μm的快速測量。

微波光電導衰減測試臺：采用10GHz微波諧振腔與紫外脈沖激光器組合系統。

檢測流程

1、咨詢：提品資料(說明書、規格書等)

2、確認檢測用途及項目要求

3、填寫檢測申請表(含公司信息及產品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測)

5、收到樣品，安排費用后進行樣品檢測

6、檢測出相關數據，編寫報告草件，確認信息是否無誤

7、確認完畢后出具報告正式件

8、寄送報告原件