因業(yè)務(wù)調(diào)整，部分個(gè)人測(cè)試暫不接受委托，望見諒。

檢測(cè)項(xiàng)目

元素定性分析、元素定量分析、微區(qū)成分分布測(cè)試、線掃描分析、面掃描成像、氧化物含量測(cè)定、硫化物成分分析、金屬間化合物鑒定、晶界偏析評(píng)估、夾雜物表征、鍍層厚度測(cè)量、薄膜成分分析、礦物相鑒定、合金相組成測(cè)定、微量元素檢測(cè)（ppm級(jí)）、主量元素誤差校正、氧含量測(cè)定（非金屬）、碳含量分析（輕元素）、稀土元素配分計(jì)算、同位素比值分析（特定條件）、表面污染檢測(cè)、擴(kuò)散層厚度評(píng)估、焊接界面成分分析、腐蝕產(chǎn)物鑒定、熱處理相變研究、晶格常數(shù)計(jì)算（配合衍射）、電子產(chǎn)額校正驗(yàn)證、背散射電子成像解析、二次電子成像優(yōu)化、X射線能譜校準(zhǔn)

檢測(cè)范圍

不銹鋼合金板、鋁合金鑄件、鈦基復(fù)合材料、高溫合金葉片、地質(zhì)薄片標(biāo)本（橄欖巖/輝長(zhǎng)巖）、隕石切片樣本、半導(dǎo)體硅晶圓、LED外延層結(jié)構(gòu)、太陽(yáng)能電池鍍膜層、PCB焊點(diǎn)界面層、磁性材料釹鐵硼永磁體、硬質(zhì)合金刀具涂層（TiN/TiCN）、鋰離子電池正極材料（NCM/LFP）、核燃料包殼鋯合金管材、考古青銅器腐蝕層、牙齒釉質(zhì)剖面樣本、人工關(guān)節(jié)鈦合金表面改性層、光纖預(yù)制棒摻雜區(qū)域、OLED有機(jī)發(fā)光層堆疊結(jié)構(gòu)、納米多層薄膜（Al2O3/ZrO2）、超導(dǎo)材料YBCO相組成、月壤模擬物玻璃質(zhì)包裹體、汽車尾氣顆粒物采集樣本、海洋沉積物微結(jié)核體、催化劑載體涂層（Pt/Al2O3）、石墨烯復(fù)合導(dǎo)電薄膜、形狀記憶合金馬氏體相區(qū)

檢測(cè)方法

波譜分析法（WDS）：利用晶體分光原理分離特征X射線波長(zhǎng)，通過羅蘭圓幾何聚焦實(shí)現(xiàn)高分辨率（~10eV）元素分析，適用于原子序數(shù)Z≥5元素的精確定量。

能譜分析法（EDS）：采用半導(dǎo)體探測(cè)器直接接收X射線光子能量信號(hào)，通過多道脈沖高度分析實(shí)現(xiàn)快速全譜采集（0.1-20keV），適用于大面積成分普查及輕元素定性。

ZAF修正法：基于原子序數(shù)效應(yīng)（Z）、吸收效應(yīng)（A）和熒光效應(yīng)（F）建立的三維數(shù)學(xué)模型，用于校正定量分析中的基體效應(yīng)誤差。

標(biāo)樣對(duì)比法：選用國(guó)際認(rèn)證的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)（如NIST系列）建立強(qiáng)度-濃度校準(zhǔn)曲線，要求標(biāo)樣與待測(cè)樣在物理化學(xué)性質(zhì)上嚴(yán)格匹配。

蒙特卡洛模擬法：通過電子軌跡模擬計(jì)算電子束與樣品的相互作用體積，優(yōu)化加速電壓選擇及空間分辨率控制。

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

ISO22309:2011微束分析-能譜法定量分析指南

ASTME1508-12電子探針波譜儀校準(zhǔn)規(guī)程

GB/T15074-2008電子探針定量分析方法通則

JISK0133:2016電子探針顯微分析通則

ISO17470:2014微束分析-EPMA-能譜法定性分析指南

ASTME1621-13電子探針波譜儀系統(tǒng)性能驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)

GB/T21636-2008電子探針顯微分析術(shù)語(yǔ)

ISO14594:2014微束分析-EPMA-波長(zhǎng)色散譜儀參數(shù)測(cè)定方法

ASTME766-14SEM圖像放大倍率校準(zhǔn)規(guī)程

GB/T20724-2006微束分析薄晶體標(biāo)樣規(guī)范

檢測(cè)儀器

波長(zhǎng)色散型電子探針（EPMA-WDS）：配備3-5道分光晶體系統(tǒng)（如LiF/TAP/STE），配備高精度真空系統(tǒng)（≤510??Pa）和液氮冷阱裝置。

場(chǎng)發(fā)射電子槍系統(tǒng)：采用熱場(chǎng)發(fā)射源（Schottky型）或冷場(chǎng)發(fā)射源，束流穩(wěn)定性≤0.5%/h。

全聚焦羅蘭圓譜儀：配備PET（季戊四醇）晶體用于輕元素分析。

硅漂移探測(cè)器（SDD）：能量分辨率≤125eV@MnKα。

背散射電子探測(cè)器：配置四象限固態(tài)探測(cè)器用于原子序數(shù)襯度成像。

陰極熒光光譜系統(tǒng)：集成單色器與PMT探測(cè)器用于發(fā)光材料表征。

動(dòng)態(tài)聚焦系統(tǒng)：配備實(shí)時(shí)Z軸補(bǔ)償機(jī)構(gòu)保證傾斜樣品表面聚焦一致性。

超高壓真空鎖室：配置多級(jí)渦輪分子泵組實(shí)現(xiàn)快速換樣（<3min）。

低溫樣品臺(tái)：配備液氮循環(huán)冷卻系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)-180℃低溫測(cè)試環(huán)境。

三維移動(dòng)樣品臺(tái)：重復(fù)定位精度≤0.1μm的壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)平臺(tái)。

檢測(cè)流程

1、咨詢：提品資料(說明書、規(guī)格書等)

2、確認(rèn)檢測(cè)用途及項(xiàng)目要求

3、填寫檢測(cè)申請(qǐng)表(含公司信息及產(chǎn)品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測(cè))

5、收到樣品，安排費(fèi)用后進(jìn)行樣品檢測(cè)

6、檢測(cè)出相關(guān)數(shù)據(jù)，編寫報(bào)告草件，確認(rèn)信息是否無誤

7、確認(rèn)完畢后出具報(bào)告正式件

8、寄送報(bào)告原件