因業務調整，部分個人測試暫不接受委托，望見諒。

檢測項目

閾值電壓檢測：測量器件開啟時的柵極電壓，典型范圍2.0~4.0V，精度±0.1V。

導通電阻檢測：評估導通狀態下漏源極間電阻，測量范圍1mΩ~1Ω，誤差≤2%。

擊穿電壓檢測：確定器件最大耐受電壓，測試電壓范圍600~1700V，步進精度1V。

柵電荷檢測：測量柵極充電電荷總量，參數Qg范圍50~500nC，分辨率0.1nC。

開關時間檢測：包括開通延遲時間（td(on)）和上升時間（tr），時間范圍10ns~100μs，精度±1ns。

熱阻檢測：評估結殼熱阻，測量值Rth(j-c)范圍0.1~5.0℃/W，溫控精度±0.5℃。

漏電流檢測：測試關斷狀態漏電流，電流范圍1nA~1mA，靈敏度1pA。

動態導通電阻檢測：測量開關過程中的電阻變化，參數Rds(on)動態范圍±10%，采樣率1MHz。

米勒電容檢測：評估柵漏電容Cgd，電容值范圍100pF~10nF，頻率響應100kHz~10MHz。

高溫反偏測試：施加反向電壓于高溫環境，測試條件溫度125~175℃，電壓500~1000V。

雪崩能量檢測：測量器件承受雪崩擊穿的能量，能量范圍1~100mJ，脈沖寬度100ns~10μs。

短路耐受能力測試：模擬短路狀態，測試時間范圍1~10μs，電流測量精度±5%。

柵極氧化物完整性檢測：評估柵極絕緣層可靠性，測試電壓范圍20~50V，泄漏電流閾值<1μA。

溫度系數檢測：分析電阻參數隨溫度變化，溫度范圍-55~175℃，系數范圍±0.5%/℃。

檢測范圍

SiC晶圓：檢測碳化硅襯底材料質量和表面缺陷。

SiC MOSFET裸片：評估單個器件芯片的電氣和熱性能。

SiC功率模塊：測試集成模塊在高壓高電流下的整體可靠性。

新能源汽車逆變器：針對電動汽車驅動系統的功率轉換效率檢測。

太陽能光伏逆變器：評估太陽能發電系統中的器件穩定性和效率。

工業變頻器：檢測工業電機控制設備中的開關損耗和熱管理。

鐵路牽引系統：應用于高速列車電源轉換器的耐久性測試。

航空航天電源：評估航空電子設備的高溫高壓環境適應性。

數據中心電源：測試服務器電源模塊的節能性能和可靠性。

消費電子充電器：針對快速充電設備的開關特性檢測。

醫療設備電源：應用于醫療儀器高壓電源的絕緣安全性評估。

可再生能源儲能系統：檢測電池管理系統中的功率器件效率。

電機驅動器：評估工業機械驅動電路的動態響應性能。

軍用電子設備：針對軍事領域極端環境下的耐久測試。

智能電網設備：檢測電網轉換器的過壓保護和穩定性。

檢測標準

依據ASTM F1248標準進行熱阻測量。

遵循ISO 16750規范評估汽車電子環境可靠性。

采用GB/T 15291方法測試半導體參數特性。

依據JEDEC JESD22-A108標準執行高溫反偏測試。

遵循IEC 60749系列標準進行氣候環境耐久性評估。

采用GB/T 2423系列標準模擬高低溫循環測試。

依據ASTM D257規范測量絕緣電阻參數。

遵循ISO 9001質量管理體系要求進行檢測流程。

采用GB/T 17626標準評估電磁兼容性能。

依據JEDEC JESD78標準執行靜電放電測試。

遵循IPC-9701規范進行機械應力可靠性評估。

采用GB/T 5097標準測試開關時間動態參數。

檢測儀器

半導體參數分析儀：測量器件閾值電壓、導通電阻等靜態參數，支持電壓范圍±200V，電流分辨率1fA。

功率器件分析儀：評估開關時間、柵電荷等動態性能，功能包括高速脈沖生成和波形捕獲。

熱阻測試儀：檢測結殼熱阻和溫度系數，配備熱電偶接口，溫控精度±0.1℃。

高速示波器：記錄開關波形和瞬態響應，帶寬范圍1GHz，采樣率20GS/s。

環境試驗箱：用于高溫反偏和溫度耐久測試，溫度范圍-70~200℃，濕度控制精度±2%RH。

動態導通電阻測試儀：測量開關過程中的電阻變化，支持實時數據采集，采樣速率1MS/s。

雪崩能量測試系統：施加高壓脈沖評估器件耐受能力，電壓范圍0~2000V，能量測量精度±3%。

漏電流測試儀：檢測關斷狀態泄漏電流，電流測量范圍1pA~1mA，分辨率0.1pA。

電容測試儀：評估米勒電容和寄生參數，頻率范圍100Hz~10MHz，電容分辨率0.1pF。

短路測試平臺：模擬短路工況，電流測量范圍0~100A，時間控制精度1μs。

檢測流程

1、咨詢：提品資料(說明書、規格書等)

2、確認檢測用途及項目要求

3、填寫檢測申請表(含公司信息及產品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測)

5、收到樣品，安排費用后進行樣品檢測

6、檢測出相關數據，編寫報告草件，確認信息是否無誤

7、確認完畢后出具報告正式件

8、寄送報告原件