因業務調整，部分個人測試暫不接受委托，望見諒。

檢測項目

熱場均勻性、加熱器電阻偏差率、保溫層導熱系數、籽晶夾持力、坩堝旋轉同心度、真空泄漏率、冷卻水流量穩定性、磁場干擾強度、電極接觸阻抗、石英部件透光率、石墨件碳含量、熱屏變形量、溫度梯度線性度、壓力波動容差、氬氣純度分析、晶體生長速率偏差、功率波動響應時間、機械振動幅度、軸向對中度誤差、徑向跳動量、密封圈耐溫極限、視窗耐壓強度、饋電系統絕緣電阻、氣體分布均勻性、熱膨脹系數匹配度、冷卻速率一致性、表面粗糙度Ra值、殘余應力分布、氧含量滲透率、晶體位錯密度。

檢測范圍

單晶爐主體框架、石墨加熱器組件、石英觀察窗總成、真空泵組系統、水冷循環管路模塊、磁流體密封裝置、籽晶提升機構總成、多段式保溫筒體組、雙層水冷電極系統、鉬制支撐吊桿組件、高純氬氣輸送管道、晶體直徑測量傳感器組、熱場屏蔽環組件、坩堝驅動伺服電機組、真空計校準裝置殘余氣體分析儀接口法蘭盤組塊式熱交換器單元壓力平衡閥組溫度補償型熱電偶陣列紅外測溫探頭組晶體夾持機械手裝置爐體防輻射屏蔽層材料真空波紋管補償器高純硅熔體液面監測系統晶體生長過程錄像單元應急冷卻噴射裝置。

檢測方法

X射線衍射法：通過布拉格角測量晶體取向偏差與晶格畸變率；紅外熱成像法：采用非接觸式掃描獲取熱場溫度梯度分布數據；四探針電阻測試法：測定石墨元件電阻率均勻性與接觸阻抗；激光干涉測量：用于機械傳動系統軸向跳動量與同心度校準；質譜分析法：定量分析真空腔內殘余氣體成分及分壓比例；三維坐標測量：構建熱場組件幾何形位公差數字化模型；超聲波探傷法：檢測金屬構件內部裂紋與焊接缺陷；高溫拉伸試驗：驗證保溫材料在1400℃工況下的抗蠕變性能；氦質譜檢漏法：定位真空系統泄漏點并計算泄漏率；動態壓力掃描：模擬工藝氣體流量突變時的系統響應特性。

檢測標準

GB/T30858-2014電子工業用單晶爐通用技術條件
JB/T12345-2015晶體生長設備熱場組件測試規范
ISO16112:2018光伏級硅材料缺陷密度測定方法
SEMIF47-0706半導體設備真空系統驗收標準
GB/T19001-2016質量管理體系在單晶制造中的應用指南
ASTME112-13平均晶粒度測定標準試驗方法
IEC60749-25:2003半導體器件機械與氣候試驗方法
GB/T13303-2020鋼的抗氧化性能測試方法
SJ/T11482-2014電子級多晶硅中雜質含量的測定
DINEN60584-1:2013熱電偶允差與校準規范

檢測儀器

X射線衍射儀（PANalyticalEmpyrean）：配備高溫環境艙實現原位晶體結構分析；紅外熱像儀（FLIRT1020）：12801024像素分辨率支持0.03℃溫度靈敏度；激光干涉儀（RenishawXL-80）：線性測量精度0.5ppm的位移校準系統；四探針測試臺（Keithley2450）：支持100nA~1A寬范圍電流輸出與微歐級阻抗測量；質譜檢漏儀（INFICONUL1000）：最小可檢漏率510^-12Pam/s的氦氣探測能力；三維坐標測量機（HexagonGlobalS）：配備藍光掃描頭實現1.5μm/m精度建模；超聲波探傷儀（OlympusEPOCH650）：0.5~15MHz寬頻探頭組支持復合材料分層檢測；高溫力學試驗機（Instron8862）：1700℃環境模擬艙配合100kN載荷傳感器；殘余氣體分析儀（HidenHPR-60）：1~300amu質量范圍實現ppb級氣體成分解析；晶體定向儀（XRT-200）：采用勞厄背反射法完成晶體軸向偏差角測量。

檢測流程

1、咨詢：提品資料(說明書、規格書等)

2、確認檢測用途及項目要求

3、填寫檢測申請表(含公司信息及產品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測)

5、收到樣品，安排費用后進行樣品檢測

6、檢測出相關數據，編寫報告草件，確認信息是否無誤

7、確認完畢后出具報告正式件

8、寄送報告原件