因業務調整，部分個人測試暫不接受委托，望見諒。

檢測項目

純度分析、總金屬雜質含量、碳含量、氧含量、氮含量、氯含量、硼濃度、磷濃度、施主雜質總量、受主雜質總量、電阻率、少子壽命、位錯密度、晶粒尺寸、晶體取向偏差率、表面金屬污染度、體缺陷密度、表面粗糙度、密度測定、熱膨脹系數、顯微硬度、抗彎強度、顆粒度分布、總有機碳殘留量、氫含量測定、紫外熒光強度、紅外吸收光譜特征峰強度、X射線衍射半峰寬值、光致發光譜特征峰位移量、二次離子質譜深度分布曲線

檢測范圍

直拉法單晶硅錠、區熔法多晶硅棒、流化床法顆粒硅料、冶金法提純硅塊、西門子法棒狀多晶硅片狀多晶硅塊體材料太陽能級多晶硅錠電子級多晶硅顆粒半導體用高純硅靶材回收硅料再生料鑄錠爐余料切割廢料酸洗后硅粉CVD沉積層外延片拋光片退火樣摻雜樣氧化樣氮化樣離子注入樣擴散層樣蝕刻后表面鈍化膜樣封裝前基片組件級層壓件

檢測方法

1.輝光放電質譜法（GD-MS）：通過低溫等離子體激發樣品原子電離，實現ppb級痕量元素定量2.傅里葉變換紅外光譜（FTIR）：利用分子振動能級躍遷特征測定間隙氧/替位碳含量3.四探針電阻率測試：基于范德堡法原理測量材料體電阻特性4.微波光電導衰減（μ-PCD）：通過激光注入載流子測定少子壽命5.X射線衍射（XRD）：采用θ-2θ掃描模式分析晶體結構完整性6.電感耦合等離子體質譜（ICP-MS）：溶液霧化電離技術測定金屬雜質總量7.二次離子質譜（SIMS）：離子束濺射實現元素三維分布分析8.掃描電子顯微鏡（SEM-EDS）：結合能譜進行表面形貌與成分聯測9.低溫霍爾效應測試：液氦環境下測定載流子濃度與遷移率10.光致發光譜（PL）：通過缺陷態發光特征識別晶體缺陷類型

檢測標準

GB/T24582-2021多晶硅表面金屬雜質含量的測定酸浸取-電感耦合等離子體質譜法GB/T37049-2018電子級多晶硅中基體金屬雜質含量的測定輝光放電質譜法SEMIPV17-0612太陽能級多晶硅材料規范ASTMF1724-09(2020)用低溫傅里葉變換紅外光譜法測量硅中間隙原子氧含量的標準試驗方法IEC60749-27:2019半導體器件-機械和氣候試驗方法-第27部分：腐蝕性氣體測試JISH0605:2021硅單晶中雜質濃度的紅外吸收光譜測定方法ISO14707:2021表面化學分析-輝光放電發射光譜法通則GB/T35306-2023多晶硅晶體缺陷密度的測定X射線衍射法SEMIMF1726-1109用微波光電導衰減法測量硅片少數載流子壽命的測試方法DINEN60749-4:2017半導體器件-機械和氣候試驗方法-第4部分：強加速穩態濕熱試驗

檢測儀器

1.高分辨率輝光放電質譜儀：配備射頻源與雙聚焦分析器，實現0.01ppb檢出限2.深紫外顯微分光光度計：采用193nm激發光源進行納米級表面污染分析3.低溫強磁場霍爾測試系統：集成15T超導磁體與液氦恒溫器4.全自動四探針測試臺：配置高溫探針卡座支持RT-300℃范圍測量5.三維原子探針層析儀（APT）：實現原子級空間分辨率成分分析6.飛秒激光時域反射系統：用于微秒級載流子動力學過程監測7.X射線形貌分析儀：采用雙晶單色器獲得高襯度缺陷圖像8.同步輻射X射線熒光光譜儀：實現ppm級輕元素定量分析9.超導量子干涉磁強計（SQUID）：測量材料磁學性質與缺陷關聯性10.俄歇電子能譜儀（AES）：納米級表面成分深度剖析專用設備

檢測流程

1、咨詢：提品資料(說明書、規格書等)

2、確認檢測用途及項目要求

3、填寫檢測申請表(含公司信息及產品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測)

5、收到樣品，安排費用后進行樣品檢測

6、檢測出相關數據，編寫報告草件，確認信息是否無誤

7、確認完畢后出具報告正式件

8、寄送報告原件